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  • 高頻直流高壓發(fā)生器

    高頻直流高壓發(fā)生器

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    高頻直流高壓發(fā)生器采用中頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM中頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)

  • 高頻直流高壓發(fā)生器市場(chǎng)報(bào)

    高頻直流高壓發(fā)生器市場(chǎng)報(bào)

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    高頻直流高壓發(fā)生器市場(chǎng)報(bào)價(jià)采用中頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM中頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)

  • 高頻直流高壓發(fā)生器廠家

    高頻直流高壓發(fā)生器廠家

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    高頻直流高壓發(fā)生器廠家采用中頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM中頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器

  • ZGF-200KV/2mA大高頻直流高壓發(fā)生器

    ZGF-200KV/2mA大高頻直流高壓發(fā)生器

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    ZGF-200KV/2mA大高頻直流高壓發(fā)生器適用于電力部門各種高壓電器的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn),氧化鋅避雷器、電力電纜直流耐壓和泄漏試驗(yàn)。兼做靜電吸塵、噴涂等電源。

  • ZGF2000-200kv/2mA高頻直流高壓發(fā)生器

    ZGF2000-200kv/2mA高頻直流高壓發(fā)生器

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    ZGF2000-200kv/2mA高頻直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-120KV/3mA高頻直流高壓設(shè)備

    ZGF2000-120KV/3mA高頻直流高壓設(shè)備

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    ZGF2000-120KV/3mA高頻直流高壓設(shè)備采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF2000-300kv/2mA高頻直流高壓發(fā)生器

    ZGF2000-300kv/2mA高頻直流高壓發(fā)生器

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    ZGF2000-300kv/2mA高頻直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

  • ZGF系列高頻高壓直流發(fā)生器

    ZGF系列高頻高壓直流發(fā)生器

    更新時(shí)間:2020-09-04

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    ZGF系列高頻高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路,*應(yīng)用新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù),閉環(huán)調(diào)整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅(qū)動(dòng)技術(shù),并根據(jù)電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。

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